삼성전자 평택캠퍼스(왼쪽)와 SK하이닉스 이천공장 전경.




삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 경기상승을 대비한다.

삼성전자는 내년 웨이퍼제조장비(WFE)에 210억달러 규모, SK하이닉스는 41억달러 규모 투자에 나선다. 올해 삼성전자 168억달러, SK하이닉스 20억1000만달러 대비 각각 25%, 100% 이상 증가한 수치다.

양사는 내년 고대역폭메모리(HBM)와 최선단 D램을 중심으로 투자를 늘린다. 삼성전자는 반도체 위탁생산·낸드, SK하이닉스는 패키징 인프라 투자도 중점적으로 확대할 예정이다.

삼성전자는 내년 메모리 반도체 생산량을 올해보다 20% 이상 늘린다. D램과 낸드플래시 생산량을 올해 대비 각각 24% 전후로 확대하겠다는 로드맵을 소재·부품·장비 파트너사에 공유했다.

SK하이닉스 역시 고대역폭메모리를 중심으로 고성능 D램 생산량을 확대할 것으로 전해졌다. 글로벌 수요가 큰 고대역폭메모리는 올해보다 최소 두 배 이상 캐파의 최대 물량을 생산하고 최선단 DDR5 등 D램 생산량은 정상화한다는 계획이다.

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